SSD Samsung 870 EVO 2Tb MZ-77E2T0BW

W10176306
48 217 Р
Наличие: на удаленном складе

Доставка в Севастополь: 2 - 3 июня

Цена в бонусных баллах: 48217 баллов
Кешбек за покупку: 482 балла
+
В избранное
Популярные товары!
машинка Доставка в Севастополь
счет Юридическим лицам
кредит Кредит
Стоимость и сроки доставки

Цена на сайте указана для физических лиц


Цену для юридических лиц можно узнать:

по телефону или в онлайн-чате


Работаем с НДС / без НДС

Сотрудничаем с АПТкредит и Paylate:

УСЛОВИЯ КРЕДИТА


внутренний SSD, 2.5", 2000 Гб, SATA-III, чтение: 560 Мб/сек, запись: 530 Мб/сек, TLC

Характеристики SSD Samsung 870 EVO 2Tb MZ-77E2T0BW

Максимальная скорость записи
530
Максимальная скорость чтения
560
Объем накопителя
2048 ГБ
Ресурс TBW
1200
Тип памяти NAND
TLC
Форм-фактор
2.5"
Доставка:
2 - 3 июня
Бренд
Samsung
Модель
MZ-77E2T0BW
Гарантия
12 месяцев

Описание SSD Samsung 870 EVO 2Tb MZ-77E2T0BW

Последняя модель самого продаваемого в мире SSD накопителя, наконец, появилась на рынке. Накопитель 870 EVO создан на основе технологии Samsung, используемой в производстве SSD. Он отличается более высокой производительностью, надежностью и совместимостью, отвечает всем требованиям любого создателя контента, IT профессионалам и обычным пользователям.
Накопитель 870 EVO с интерфейсом SATA обеспечивает максимальные скорости последовательной записи/чтеним порядка 560/530 MБ/с. Теперь каждый пользователь может воспользоваться SSD накопителем с производительностью профессионального уровня. Интеллектуальная технология записи Intelligent TurboWrite с увеличенным объемом изменяемого буфера позволяет повысить скорость записи и стабильность высоких рабочих характеристик.

Заводские данные
Гарантия
36 мес.
Страна-производитель
Корея, республика
Общие параметры
Модель
Samsung 870 EVO
Код производителя
[MZ-77E2T0BW]
Год релиза
2020
Серверный 
нет
Основные характеристики
Объем накопителя 
2000 ГБ
Физический интерфейс 
SATA III
NVMe 
нет
Конфигурация накопителя
Контроллер 
Samsung MGX
Тип чипов памяти
NAND
Количество бит на ячейку 
3 бит MLC (TLC)
Структура памяти 
3D NAND
Показатели производительности
Максимальная скорость последовательной записи 
530 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательного чтения 
560 Мбайт/сек
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) 
88000 IOPS
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) 
98000 IOPS
Надежность
Максимальный ресурс записи (TBW) 
1200 ТБ
Дополнительная информация
Шифрование данных 
есть
Комплектация
документация
Габариты
Ширина
69.85 мм
Длина
100 мм
Толщина (мм)
6.8 мм

Рейтинг

5 из 5
1
4 ☆
0
3 ☆
0
2 ☆
0
1 ☆
0
Вы пользовались этим товаром?
Поделитесь своим опытом и впечатлениями, это поможет другим сделать правильный выбор
Написать отзыв
По оценке 1 покупателя
Производительность:
Результат использования:
Качество:
Долговечность:
Общее впечатление:
Сортировка:
С фото
Minsenno
Minsenno
Опыт использования: Меньше месяца
07.05.2021
Производительность
Результат использования
Качество
Долговечность
Общее впечатление
Достоинства
128-слойная 512-Гбит 3D TLC V-NAND

3 бит MLC (TLC)

Ресурс записи 1200

Скорость
Недостатки
Нет
Комментарий
Поставил для игр, приказано жить долго
30 30
Написать отзыв