SSD Samsung 870 EVO 2Tb MZ-77E2T0BW

W10176306
18 158 Р
Наличие: на удаленном складе

Доставка в Севастополь: 28 - 29 октября

Цена в бонусных баллах: - 18158 баллов
Кешбек за покупку: + 182 балла
+
В избранное
Популярные товары!
  • машинка Доставка в Севастополь
  • счет Юридическим лицам
  • кредит Кредит
  • Стоимость и сроки доставки
  • Цена на сайте указана для физических лиц


    Цену для юридических лиц можно узнать:

    по телефону или в онлайн-чате


    Работаем с НДС / без НДС

  • Сотрудничаем с АПТкредит и Paylate:

    УСЛОВИЯ КРЕДИТА


  • Все о товаре
  • Характеристики
  • Описание
  • Отзывы покупателей (1)

Характеристики SSD Samsung 870 EVO 2Tb MZ-77E2T0BW

Максимальная скорость записи
530
Максимальная скорость чтения
560
Объем накопителя
2000
Ресурс TBW
1200
Тип памяти NAND
TLC
Форм-фактор
2.5"
Доставка:
28 - 29 октября
Бренд
SAMSUNG
Модель
MZ-77E2T0BW
Гарантия
12 месяцев

Описание SSD Samsung 870 EVO 2Tb MZ-77E2T0BW

Последняя модель самого продаваемого в мире SSD накопителя, наконец, появилась на рынке. Накопитель 870 EVO создан на основе технологии Samsung, используемой в производстве SSD. Он отличается более высокой производительностью, надежностью и совместимостью, отвечает всем требованиям любого создателя контента, IT профессионалам и обычным пользователям.
Накопитель 870 EVO с интерфейсом SATA обеспечивает максимальные скорости последовательной записи/чтеним порядка 560/530 MБ/с. Теперь каждый пользователь может воспользоваться SSD накопителем с производительностью профессионального уровня. Интеллектуальная технология записи Intelligent TurboWrite с увеличенным объемом изменяемого буфера позволяет повысить скорость записи и стабильность высоких рабочих характеристик.

Заводские данные
Гарантия
36 мес.
Страна-производитель
Корея, республика
Общие параметры
Модель
Samsung 870 EVO
Код производителя
[MZ-77E2T0BW]
Год релиза
2020
Серверный 
нет
Основные характеристики
Объем накопителя 
2000 ГБ
Физический интерфейс 
SATA III
NVMe 
нет
Конфигурация накопителя
Контроллер 
Samsung MGX
Тип чипов памяти
NAND
Количество бит на ячейку 
3 бит MLC (TLC)
Структура памяти 
3D NAND
Показатели производительности
Максимальная скорость последовательной записи 
530 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательного чтения 
560 Мбайт/сек
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) 
88000 IOPS
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) 
98000 IOPS
Надежность
Максимальный ресурс записи (TBW) 
1200 ТБ
Дополнительная информация
Шифрование данных 
есть
Комплектация
документация
Габариты
Ширина
69.85 мм
Длина
100 мм
Толщина (мм)
6.8 мм

Отзывы покупателей

Рейтинг

5 из 5
1
4 ☆
0
3 ☆
0
2 ☆
0
1 ☆
0
Вы пользовались этим товаром?
Поделитесь своим опытом и впечатлениями, это поможет другим сделать правильный выбор
Написать отзыв
По оценке 1 покупателя
Производительность:
Результат использования:
Качество:
Долговечность:
Общее впечатление:
Сортировка:
С фото
Minsenno
Minsenno
Опыт использования: Меньше месяца
07.05.2021
Качество
Долговечность
Общее впечатление
Производительность
Результат использования
Достоинства
128-слойная 512-Гбит 3D TLC V-NAND

3 бит MLC (TLC)

Ресурс записи 1200

Скорость
Недостатки
Нет
Комментарий
Поставил для игр, приказано жить долго
24 21
Написать отзыв