Оперативная память SO-DIMM Patriot DDR4 8Gb 2666MHz PSD48G266681S
- Все о товаре
- Характеристики
- Описание
- Отзывы покупателей
Характеристики Оперативная память SO-DIMM Patriot DDR4 8Gb 2666MHz PSD48G266681S
Part Number («Номер запчасти», «Номер детали») — Уникальный (каталожный) номер устройства или его детали в системе учёта производителя.
Описание Оперативная память SO-DIMM Patriot DDR4 8Gb 2666MHz PSD48G266681S
Оперативная память SODIMM Patriot Signature Line [PSD48G266681S] имеет объем 8 ГБ и обеспечит высокую производительность компьютера в самых разных задачах — будь то запуск игр, различных профессиональных приложений или работа в режиме многозадачности. Благодаря корпусу небольшого размера данный модуль может устанавливаться в ноутбуки, моноблоки, а также системные блоки компактного форм-фактора.
Оперативная память SODIMM Patriot Signature Line [PSD48G266681S] относится к типу DDR4. Модуль работает на частоте 2666 МГц и отличается пропускной способностью PC21300, что вкупе с таймингами 19-19-19-43 обеспечивает высокую скорость обработки данных. Благодаря высококачественным компонентам, используемым в основе конструкции, данная модель отличается надежностью и высокой стабильностью работы.
Энергопотребление оперативной памяти SODIMM Patriot Signature Line [PSD48G266681S] не превышает 1.2 В. Модель поставляется поштучно в пластиковом блистере. Для лучшей производительности системы рекомендуется устанавливать несколько одинаковых модулей памяти.
| Заводские данные | |
Гарантия | 36 мес. |
Страна-производитель | Тайвань (китай) |
| Классификация | |
Тип | оперативная память |
Модель | Patriot Signature Line |
Код производителя | [PSD48G266681S] |
Год релиза | 2019 |
| Объем и состав комплекта | |
Тип памяти | DDR4 |
Суммарный объем памяти всего комплекта | 8 ГБ |
Объем одного модуля памяти | 8 ГБ |
Количество модулей в комплекте | 1 шт |
| Быстродействие | |
Частота | 2666 МГц |
Пропускная способность | PC21300 |
| Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 19 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
Row Precharge Delay (tRP) | 19 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 43 |
| Конструктивные особенности | |
Количество чипов модуля | 8 |
Двухсторонняя установка чипов | есть |
| Дополнительно | |
Напряжение питания | 1.2 В |
Сообщения не найдены